Wafere laget av silisium på isolator (SOI) produseres ved hjelp av tre primære metoder: epitaksial lagoverføring, bundet SOI og silisium på isolator. Hver teknikk har sine egne fordeler og fordeler.
For det første kan et lag med silisium lages på toppen av et isolerende lag, slik som silisiumdioksid, ved å bruke silisium-på-isolator-teknikken. Med denne metoden separeres det øverste silisiumlaget og det underliggende substratet av et nedgravd oksidlag som skapes via ioneimplantasjon. Denne metoden fungerer spesielt godt for å produsere wafere med enestående varmeledningsevne og homogene lag.
For det andre limes et tynt lag med premium silisium på et isolatorsubstrat ved å bruke den bundne SOI-prosessen. Dette oppnås ved å feste et tynt lag med silisium på et underlag etter at det har blitt laget via ioneimplantasjon eller epitaksial vekst. Denne prosessen gjør det mulig å lage svært integrerte kretser og er perfekt for å produsere wafere med spesifikke tykkelser.
Til slutt, en annen metode for å produsere SOI wafere er epitaksial lagoverføring. Ved bruk av epitaksiale vekstteknikker dannes et tynt lag med silisium på et donorsubstrat i denne prosessen. Deretter bindes dette laget til et isolerende underlag via kjemisk mekanisk polering og waferbinding. En overlegen SOI wafer med eksepsjonelle elektriske egenskaper er sluttproduktet.
