Hva er trinnene i rengjøringsprosessen for silisiumwafer?

Urenhetene som er adsorbert på overflaten av silisiumplaten kan deles inn i tre typer: molekyltype, ionetype og atomtype. Blant dem er adsorpsjonskraften mellom den molekylære urenheten og overflaten av silisiumplaten svak, og det er relativt enkelt å fjerne slike urenhetspartikler. De fleste av dem er fetturenheter, som er hydrofobe og har en maskerende effekt på å fjerne ioniske og atomære urenheter.
Ved kjemisk rengjøring av silisiumskiver bør de derfor fjernes først. Ione- og atomadsorberte urenheter er kjemisk adsorberte urenheter, og deres adsorpsjonskrefter er sterke.
Generelt er mengden av adsorberte urenheter av atomtypen liten, så under kjemisk rensing fjernes de adsorberte urenhetene av ionisk type først, og deretter fjernes de gjenværende urenhetene av ionisk type og urenheter av atomtypen.
Skyll til slutt silisiumplaten med avionisert vann med høy renhet, og varm deretter opp og tørk eller sentrifuger for å få en silisiumplate med en ren overflate.
For å oppsummere er den generelle prosessen for rengjøring av silisiumskiver: molekylær fjerning → avionisering → deatomisering → skylling av avionisert vann. I tillegg, for å fjerne oksydlaget på overflaten av silisiumplaten, tilsettes ofte et fortynnet flussyre-blødningstrinn.