4,6,8 tommers Silicon Wafer Inventory Update _202506

Jun 20, 2025 Legg igjen en beskjed

Parti	PRODUKT	DIAMETER	KRYSTALL	TYPE	Dopant	Orientering	TYKKELSE	Motstand
501061S	Al	200	CZ	P	B	100	725±25	1~100	200-300 En Ti etterfulgt av 8000a PVD sprutet al-Cu 0,5%
501201	Epitaksial	200	CZ	P	B	100	700~750	<0.1	P/b t1 ~ 50/r1 ~ 50, mfg 22- mai -2024
501202	Epitaksial	200	CZ	N	PH rød	100	700~750	0~0.05	N/ph t1 ~ 10/r0.01 ~ 1, mfg 27- mai -2024
522101	Polert	200	CZ	P	B	100	710~740	0.01~0.02
522102	Polert	200	CZ	P	B	100	710~740	0.009~0.02
522103	Polert	200	CZ	P	B	100	710~740	0.015~0.02
522104	Polert	200	CZ	P	B	100	705~745	0.014~0.022
522105	Polert	200	CZ	P	B	100	710~740	0.014~0.02
522106	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522107	Polert	200	CZ	P	B	100	710~740	0.0025~0.0035
522108	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.005~0.01
522109	Polert	200	CZ	P	B	100	710~740	0.002~0.0033
522110	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.0035~0.004
522111	Polert	200	CZ	P	B	100	640±13	0.012~0.0175	LTO+NOLM
522112	Polert	200	Na	N	Som	100	725±15	0.001~0.003
522113	Polert	200	CZ	P	B	111	725±15	0.005~0.01
522114	Polert	200	CZ	P	B	100	725±50	1~65
522115	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	Mindre enn eller lik 40
522116	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.002~0.003
522117	Polert	200	CZ	P	B	100	710~740	0.0033~0.005
522118	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.003~0.004
522119	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522120	Polert	200	CZ	P	B	111	725±20	0.002~0.005
522121	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.003~0.0035
522122	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.008~0.02
522123	Polert	200	CZ	P	B	100	725±15	0.0023~0.004
522124	Etset	200	Na	Na	Na	Na	745	Na	LTO+NOLM
522125	Polert	200	CZ	P	B	100	705~745	0.01~0.02	LTO+NOLM
SO617PRAU	Sputret au	150	CZ	P	B	100	500±15	10~25	Sprudet Ti30NM+AU100NM
PS241025006	Soi	200	CZ	P	B	100	650±5	8~12	Enhet: 30 ± 0 . 5μm, 0,01 ~ 0,02 ohm.cm / boks: 1 ± 0,1μm, hakk<110>
503141	Polert	100	CZ	P	B	110	20000±100	1~100
PS250407006	Soi	200	CZ	N	Ph	100	725±10	1~10	Enhet: 2 ± 0,5μm / boks: 1000nm ± 5%
PS250407007	Soi	200	CZ	N	Ph	100	725±10	1~10	Enhet: 10 ± 0,5μm / boks: 1000nm ± 5%
PS250407008	Soi	200	CZ	N	Ph	100	725±10	1~10	Enhet: 3 ± 0,5μm / boks: 1000nm ± 5%
505061	JGS1	100					555±7		DSP, SQ ＜ 0,5nm, 10/5, TTV<5μm, Flat 32.5mm
505301	Oksid+nitrid	200	CZ	P	B	100	725±25	1~100	3μm termisk oksid +300 nm LPCVD nitrid
203171PW3PT	Sputret pt	150	CZ	N	Ph	100	675±25	0.001~0.005	3000A Termisk oksid+Ti50nm+Pt 200nm
506162	Polert	200	CZ	N	Ph	100	700~750	1000~12000	N/ph t1 ~ 10/r0.01 ~ 1, mfg 27- mai -2024